Controlador NA7200BE para motores BLDC de 3 fases

Nisshinbo Micro Devices presenta la serie NA7200BE de circuitos controladores para motores BLDC de 3 fases, diseñados para usos generales como ventiladores y otros motores BLDC pequeños. El versátil NA7200BE ofrece una variedad de funciones para diseñar un circuito rico en características que impulse motores BLDC. Nuevas posibilidades Un amplio rango de voltaje de operación, […]

XPH8R316MC y XPH13016MC MOSFET de canal P de 60 V para...

Los nuevos MOSFET de canal P XPH8R316MC y XPH13016MC ayudan a aumentar el rendimiento y reducir el consumo de energía en entornos adversos. Toshiba Electronic Europe anuncia la disponibilidad de dos MOSFET de canal P de 60 V que, basados en su proceso U-MOS VI, son ideales en aplicaciones del sector de la automoción, como […]

VEMD2074 Fotodiodo PIN de silicio de alta sensibilidad para dispositivos wearables

Con un encapsulado SMD de 2 x 1,8 mm x 0,6 mm, el fotodiodo VEMD2074 ofrece precisión, facilidad de integración y flexibilidad de diseño en aplicaciones de detección del ritmo cardiaco y pulsioximetría. Vishay Intertechnology anuncia la ampliación de su catálogo de optoelectrónica con la introducción de un nuevo fotodiodo PIN de silicio de alta […]

InnoSwitch5-Pro flyback switcher programable de alta eficiencia

Los circuitos flyback switcher InnoSwitch5-Pro satisfacen las necesidades de productos de consumo portátiles y diseños USB PD EPR. Power Integrations, fabricante de circuitos integrados (CI) de alta tensión para conversión de energía de alta eficiencia, anuncia el lanzamiento de la familia InnoSwitch5-Pro de CI flyback switcher programables de alta eficiencia. Cada switcher monochip alcanza una […]

ALT31 y ALUT31 Detectores infrarrojos LTO para instrumentos FTIR

Combinando los beneficios de LTO y DlaTGS, los detectores ALT31 y ALUT31 con modo de tensión monocanal ofrecen alto rendimiento en un diseño compacto. LASER COMPONENTS introduce nuevos detectores LTO (tantalato de litio – LiTaO3) con diseño ultradelgado que permiten minimizar el ruido e incrementar la capacidad de respuesta hasta cuatro veces usando sub–pixel binning. […]

TDLNA0430SEP LNA tolerante a la radiación para comunicaciones por satélite

EL LNA TDLNA0430SEP cumple los requisitos en canales de comunicación de UHF a banda S (de 0,3 a 3 GHz). Teledyne e2v HiRel anuncia la disponibilidad del modelo TDLNA0430SEP, un amplificador de bajo ruido (LNA) de UHF a banda S con tolerancia a la radiación que es ideal en aplicaciones espaciales de alta fiabilidad, donde […]

Interruptores de alimentación IntelliFET de dos canales para el sector del...

Los MOSFET IntelliFET ZXMS82090S14PQ, ZXMS82120S14PQ y ZXMS82180S14PQ ofrecen una protección robusta en el control de carrocería y los sistemas de iluminación de los automóviles. Diodes Incorporated introduce sus primeros interruptores de alimentación high–side de dos canales para el sector del automóvil. Se trata de los modelos ZXMS82090S14PQ, ZXMS82120S14PQ y ZXMS82180S14PQ que, a la vez, suponen […]

AONA66916 MOSFET de 100 V con un nuevo encapsulado DFN 5...

Respaldando diseños más eficientes y fiables, el MOSFET AONA66916 también se beneficia de la tecnología AlphaSGT para cumplir los requisitos en entornos adversos. Alpha and Omega Semiconductor (AOS), diseñador, desarrollador y fabricante de dispositivos de alimentación y WBG, PMIC y módulos, anuncia el lanzamiento del modelo AONA66916, un MOSFET de 100 V que se presenta […]

MOSFETs automotrices de 30 y 40 V P-channel y N-channel

Capaces de soportar una temperatura de unión de hasta 175 grados, los MOSFETs automotrices de 30 y 40 V P-channel y N-channel se encuentran disponibles en varios encapsulados. PANJIT, empresa reconocida en la industria de componentes electrónicos, anuncia el lanzamiento al mercado su última innovación en MOSFETs automotrices de 30 y 40 V P-channel y […]