LV100 Módulo IGBT de 2 kV para sistemas fotovoltaicos

El módulo IGBT LV100 ayudan a reducir el tamaño y aumentar la eficiencia de los convertidores de 1500 VDC. Mitsubishi Electric anuncia una nueva versión de su transmisor bipolar de puerta aislada (IGBT) LV100 de 2 kV, especialmente diseñado para aplicaciones fotovoltaicas y otros entornos que necesitan una conversión de potencia de “término medio” entre […]

Inversores solares 650V IGBT

Con diversos modelos que ofrecen distintas capacidades para adaptarse a la aplicación concreta, estos inversores solares 650V IGBT están pensados para aplicaciones como las de energía solar. La surcoreana Magnachip Semiconductor, diseñadora y productora de soluciones de plataformas de semiconductores de señales analógicas y mixtas para comunicaciones, IoT, computación, o aplicaciones industriales y del sector […]

Módulo EconoDUAL 3 con chip TRENCHSTOP 1700 V IGBT7

Con características que lo hacen más estable, el módulo EconoDUAL 3 con chip TRENCHSTOP 1700 V IGBT7 ya se encuentra disponible en tres variantes, con más que llegarán antes de final de año. Infineon Technologies anuncia el lanzamiento de su nuevo chip TRENCHSTOP 1700 V IGBT7 en el encapsulado industrial estándar EconoDUAL 3. Gracias a […]

IGBTs híbridos con diodo de SiC integrado

ROHM Semiconductor anuncia nuevos IGBTs híbridos con diodo de barrera Schottky de SiC integrado de 650 V, la serie RGWxx65C (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR y RGW00TS65CHR). Así, los componentes cuentan con calificación según la norma de fiabilidad para automoción AEC-Q101, siendo la opción ideal para aplicaciones de automoción e industriales que manejan grandes potencias, como los acondicionadores […]

Gate drivers SCALE-2 para su uso en módulos IGBTs

Con una gama que dispone de entrada de tres dispositivos, los gate drivers SCALE-2 cumplen con diversas regulaciones internacionales. Power Integrations, compañía especializada en soluciones para la conversión de alto voltaje, presenta su gama SCALE-2 de gate driver, concebida para su uso en módulos IGBT single de alta potencia (IHM, por sus siglas en inglés) […]

Módulos HVIGBT y HVDIODE para inversores compactos y robustos

Los siete nuevos módulos HVIGBT y HVDIODE de la serie X resultan ideales en inversores compactos y robustos de gran tamaño. Mitsubishi Electric anuncia el desarrollo de siete nuevos productos de su serie X de módulos semiconductores de alimentación, que ahora ya cuenta con veinticuatro modelos. Se trata de dos HVIGBT y cinco HVDIODE para […]

Serie XS de IGBTs discretos de baja pérdida

La necesidad de una sociedad descarbonizada demanda instalaciones e infraestructuras cada vez más eficientes. Los semiconductores de potencia son dispositivos esenciales en la conversión y el control de energía en equipos como fuentes de alimentación ininterrumpidas (SAI), sistemas de acondicionamiento de potencia (PCS) y cargadores de vehículos eléctricos (VE). Por este motivo, Fuji Electric anuncia […]

IGBT discretos CoolSiC de 650 V con muy alta eficiencia

Anuncio de los nuevos IGBT discretos CoolSiC de 650 V con muy alta eficiencia que ofrecen frecuencias de conmutación superiores y reducen las pérdidas. Infineon Technologies lanza una nueva gama de IGBT híbridos CoolSiC de 650 V en un encapsulado discreto con tensión de bloqueo de 650 V. La familia de productos CoolSiC combina los […]