Gate drivers SCALE-2 para su uso en módulos IGBTs

Con una gama que dispone de entrada de tres dispositivos, los gate drivers SCALE-2 cumplen con diversas regulaciones internacionales. Power Integrations, compañía especializada en soluciones para la conversión de alto voltaje, presenta su gama SCALE-2 de gate driver, concebida para su uso en módulos IGBT single de alta potencia (IHM, por sus siglas en inglés) […]

Módulos HVIGBT y HVDIODE para inversores compactos y robustos

Los siete nuevos módulos HVIGBT y HVDIODE de la serie X resultan ideales en inversores compactos y robustos de gran tamaño. Mitsubishi Electric anuncia el desarrollo de siete nuevos productos de su serie X de módulos semiconductores de alimentación, que ahora ya cuenta con veinticuatro modelos. Se trata de dos HVIGBT y cinco HVDIODE para […]

Serie XS de IGBTs discretos de baja pérdida

La necesidad de una sociedad descarbonizada demanda instalaciones e infraestructuras cada vez más eficientes. Los semiconductores de potencia son dispositivos esenciales en la conversión y el control de energía en equipos como fuentes de alimentación ininterrumpidas (SAI), sistemas de acondicionamiento de potencia (PCS) y cargadores de vehículos eléctricos (VE). Por este motivo, Fuji Electric anuncia […]

IGBT discretos CoolSiC de 650 V con muy alta eficiencia

Anuncio de los nuevos IGBT discretos CoolSiC de 650 V con muy alta eficiencia que ofrecen frecuencias de conmutación superiores y reducen las pérdidas. Infineon Technologies lanza una nueva gama de IGBT híbridos CoolSiC de 650 V en un encapsulado discreto con tensión de bloqueo de 650 V. La familia de productos CoolSiC combina los […]

Láminas de soldadura de cobre para refrigeradores de IGBTs en automoción

Las nuevas láminas de soldadura de cobre para refrigeradores de IGBTs en automoción VITROBRAZE garantizan una operación fiable, segura y eficiente en vehículos e híbridos eléctricos. Vacuumschmelze, empresa representada en España y Portugal por Anatronic, anuncia sus láminas de soldadura amorfas basadas en cobre VITROBRAZE que respaldan la producción de refrigeradores de alta eficiencia. Este […]

IGBT de 1350 V mejorado

El IGBT de 1350 V mejorado ofrece flexibilidad de diseño y menos pérdidas en aplicaciones de potencia para electrodomésticos basadas en resonancia. Toshiba Electronics Europe anuncia un nuevo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) discreto de 1350 V para su uso en aplicaciones de electrodomésticos basadas en resonancia que utilicen calentamiento por inducción, como placas de […]

IGBT de 1350 V para electrodomésticos

El nuevo IGBT de 1350 V para electrodomésticos de calentamiento por inducción GT20N135SRA ofrece flexibilidad de diseño y ayuda a reducir las pérdidas en aplicaciones de potencia basadas en resonancia. Toshiba Electronics Europe lanza un nuevo transistor bipolar de puerta aislada (Insulated Gate Bipolar Transistor – IGBT) discreto de 1350 V para uso en electrodomésticos […]

Módulo de transistores IGBT

Con una mayor densidad de potencia que las generaciones precedentes, este módulo de transistores IGBT presentan también pérdidas estáticas inferiores. La germana Infineon, especializada en soluciones en el sector de los semiconductores, anuncia la adición de un modelo de 1.200 V a su línea de módulos Easy TRENCHSTOP IGBT. El IGBT7 de 1.200 V es […]

Módulos de potencia IGBT hasta 900 A

Con un rendimiento que comprende menos pérdidas que las generaciones precedentes, estos módulos de potencia IGBT son útiles para su uso en motores industriales o vehículos entre otros. La especialista germana en semiconductores Infineon Technologies da a conocer sus nuevos módulos de potencia de la gama EconoDUAL 3, con los cuales ofrece una potencia mediana. […]