La tecnología GaN de 300 mm pretende impulsar el mercado de semiconductores de potencia al aprovechar los entornos de producción existentes y lograr la paridad de coste con el silicio en un futuro cercano. Infineon Technologies anuncia el desarrollo de una tecnología de oblea de nitruro de galio (GaN) de potencia de 300 mm, convirtiéndose […]