MOSFETs de doble simetría SiZF5300DT y SiZF5302DT
Con una eficiencia del 98%, los nuevos MOSFETs de doble simetría Siliconix SiZF5300DT y SiZF5302DT pueden sustituir a dos MOSFETs independientes, ahorrando en espacio y facilitando la miniaturización de los sistemas. Vishay Intertechnology, fabricante de componentes electrónicos que van desde semiconductores discretos hasta componentes pasivos, presenta sus nuevos MOSFETs de doble simetría Siliconix SiZF5300DT y […]
MDT15N054PTRH MOSFET MXT de 150 V para vehículos eléctricos ligeros
El MOSFET MXT MDT15N054PTRH de octava generación en encapsulado TOLL también está indicado en sistemas de gestión de batería (BMS) y fuentes de alimentación de electrónica de consumo. MagnaChip Semiconductor anuncia el lanzamiento de un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) MXT de 150 V de octava generación, optimizado para controladores de vehículos eléctricos […]
OptiMOS MOSFET SD en encapsulado PQFN de 3,3 x 3,3 mm²
Con un rango de tensión de 25 a 150 V, las versiones OptiMOS BSC y BSD en encapsulado PQFN contribuyen a reducir las pérdidas de potencia y optimizar la gestión térmica. El diseño de sistemas de electrónica de potencia del futuro intenta aumentar el rendimiento y la densidad. Con la misión de respaldar esta tendencia, […]
AONS30300 MOSFET de 30 V para servidores reemplazables sin parar la...
El MOSFET AONS30300 de baja resistencia está optimizado para aplicaciones de 12 V en la infraestructura del centro de datos. Alpha and Omega Semiconductor, diseñador, desarrollador y fabricante de semiconductores de potencia, circuitos integrados (CI) y productos digitales, anuncia el lanzamiento del modelo AONS30300, un MOSFET de 30 V con baja resistencia (on–resistance). El AONS30300, […]
SiHK045N60EF MOSFET n-channel de 600 V en encapsulado PowerPAK 10 x...
El MOSFET de 600 V SiHK045N60EF se caracteriza por alta densidad, elevada eficiencia y bajas pérdidas de conducción y conmutación. Vishay Intertechnology introduce un nuevo MOSFET de diodo fast body de la Serie EF de 600 V de cuarta generación en el encapsulado PowerPAK 10 x 12 de bajo perfil. Ofreciendo eficiencia y densidad de […]
MOSFET MV de 200 V de tercera generación
Los nuevos MOSFET MV de 200 V cumplen los requisitos de controladores de motor de vehículos eléctricos ligeros (LEV) y fuentes de alimentación industriales. Magnachip Semiconductor anuncia la introducción de sus transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de media tensión (MV) de 200 V de tercera generación para controladores de motor de vehículos eléctricos […]
MOSFETs PMCB60XN y PMCB60XNE
Con un voltaje soportado de 30 V, a los MOSFETs PMCB60XN y PMCB60XNE debe añadírseles el PMCA14UN de 12 V. Nexperia, firma neerlandesa especializada en la producción de semiconductores esenciales para el diseño de aparatos electrónicos electrónicos, presenta sus nuevos MOSFETs PMCB60XN y PMCB60XNE de 30 V. Podemos encontrar más información del primer modelo aquí, […]
MOSFET de 24 V para baterías de auriculares inalámbricos
El nuevo MOSFET de 24 V protege la circuitería y ayuda a alargar la vida de la batería tras una carga rápida. Magnachip Semiconductor anuncia un nuevo transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de 24 V para baterías de auriculares inalámbricos. Este MOSFET de 24 V pretende ayudar a los diseñadores a alargar la […]
MOSFET miniaturizado DFN0603
Con diversos ejemplares que cuentan, en algún caso, con protección ESD, el MOSFET miniaturizado DFN0603 mantiene el rendimiento pero ocupando un menor espacio en la placa. La neerlandesa Nexperia, compañía especializada en producción de gran volumen de semiconductores esenciales para dispositivos electrónicos, presenta su nuevo MOSFET miniaturizado DFN0603, el más pequeño del mundo, según la […]
