Dispositivos MOSFET Electrotérmicos

Pensados para llevar a cabo simulaciones por parte de los desarrolladores, los dispositivos MOSFET Electrotérmicos se presentan con una amplia variedad de modelos. La holandesa Nexperia, compañía experta en semiconductores esenciales, anuncia el lanzamiento de los nuevos modelos Electrotérmicos mejorados de sus dispositivos MOSFET. Estos nuevos modelos pueden capturar la interdependencia térmica de todo el […]

Componentes SiC de 3,3 kV

Los MOSFET y diodos de barrera Schottky son componentes SiC de 3,3 kV que ofrecen nuevas opciones a los diseñadores para electrónica de potencia de alta tensión en transporte, energía y sistemas industriales. Microchip Technology anuncia la ampliación de su catálogo de componentes SiC con la presentación de los MOSFET de 3,3 kV con la […]

MOSFET Super Junction αMOS5 de 600 V y 110 y 140...

Con un encapsulado DFN8x8, los MOSFET αMOS5 AONV110A60 y AONV140A60 se dirigen a servidores, microinversores fotovoltaicos y adaptadores delgados. Alpha and Omega Semiconductor, diseñador, desarrollador y fabricante de semiconductores de potencia, circuitos integrados (CI) y productos digitales, anuncia el lanzamiento de MOSFET Super Junction αMOS5 de 600 V y 110 y 140 mΩ en encapsulado […]

SiJH600E y SiJH800E MOSFET de canal-N de 60 y 80 V...

Ofreciendo una RDS(ON) desde 0,65 mΩ, los MOSFET SiJH600E y SiJH800E con diseño compacto contribuyen a aumentar la fiabilidad a nivel tarjeta. Vishay Intertechnology introduce dos nuevos MOSFET TrenchFET de canal-N que tienen el objetivo de “aumentar la densidad de potencia, la eficiencia y la fiabilidad a nivel tarjeta” en telecomunicaciones y aplicaciones industriales. Para […]

MG600Q2YMS3 y MG400V2YMS3 Módulos MOSFET SiC de 1200 y 1700 V

Estos módulos MOSFET SiC MG600Q2YMS3 y MG400V2YMS3 contribuyen a aumentar la eficiencia y reducir el tamaño de equipos industriales. Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) lanza dos nuevos MOSFET Dual Modules de carburo de silicio (SiC). En primer lugar, el modelo MG600Q2YMS3, con una tensión de 1200 V y una corriente de drenaje de […]

SJ MOSFET de 600 V para productos de consumo y entornos...

Los nuevos SJ MOSFET de 600 V contribuyen a disminuir la pérdida de conmutación e incrementar la eficiencia. MagnaChip Semiconductor anuncia el lanzamiento de once transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor Super Junction (SJ MOSFET) de 600 V, cuya producción masiva comenzará el próximo mes de marzo. Estos SJ MOSFET 2.5G han sido desarrollados usando […]

LV MOSFET para módulos de circuito de protección de batería en...

Estos LV MOSFET se distinguen por una Rss(on) muy baja para respaldar procesos de recarga rápida. Ante el aumento de la demanda de teléfonos móviles LTE y 5G de gama alta, las funciones de protección y la extensión de la vida de la batería resultan cada vez más importantes. En particular, los teléfonos 5G necesitan […]

OptiMOS SD MOSFET de potencia en versiones de 25 a 100...

Disponibles en un encapsulado PQFN de 3,3 x 3,3 mm, los MOSFET de potencia OptiMOS SD con tecnología Source-Down satisfacen las necesidades de los nuevos sistemas de alimentación. Infineon Technologies lanza una nueva generación de MOSFET de potencia OptiMOS Source-Down (SD) en un encapsulado PQFN de 3,3 x 3,3 mm y versiones con una tensión […]

BM2P06xMF-Z Nuevos circuitos integrados Fly-back compactos

Circuitos integrados Fly-back que maximizan el rendimiento, reducen el coste del sistema y aumentan la fiabilidad de las soluciones de alimentación eléctrica industrial y de consumo. El fabricante ROHM Semiconductor anuncia nuevos circuitos Fly-back CA/CC con un MOSFET de ruptura de 730 V integrado, las series BM2P06xMF-Z (BM2P060MF-Z, BM2P061MF-Z y BM2P063MF-Z). Estos componentes son ideales […]