G2R1000MT33J MOSFET SiC de 3300 V

Los MOSFET SiC G2R1000MT33J garantizan la robustez y la fiabilidad de sistema en muy diversas aplicaciones. GeneSiC Semiconductor anuncia nuevos MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 3300 V que ofrecen una conmutación rápida y eficiente con ringing reducido en un encapsulado optimizado (TO-263-7) con un pin de fuente de controlador separado. Estos MOSFET SiC […]

MOSFETs de potencia AONR66820 y AONS66811

Con un rendimiento mejorado respecto a la generación precedente, los MOSFETs de potencia AONR66820 y AONS66811 también presentan una huella de menor tamaño. Alpha and Omega Semiconductor, compañía especializada en el diseño, desarrollo y distribución de semiconductores, lanza al mercado los AONR66820 y AONS66811, dos nuevos MOSFETs de potencia que disponen de tecnología Shield Gate. […]

MOSFET TOLL de alta corriente para vehículos eléctricos

En encapsulado TOLL, los MOSFET DMTH8001STLWQ de 80 V y DMTH10H1M7STLWQ y DMTH10H2M5STLWQ de 100 V ofrecen mayor eficiencia térmica en menos espacio. Diodes introduce una familia de MOSFET de automoción en el encapsulado TOLL (PowerDI1012-8) que ahorra espacio y aporta eficiencia térmica. Con capacidad de operar a 175 °C, los modelos DMTH8001STLWQ de 80 […]

Dispositivo BCD-on-SOI de alta tensión XT018

Pensado para su uso en aplicaciones de la IoT, el dispositivo primitivo de alta tensión XT018 soporta un voltaje operativo de hasta 375 V. X-FAB, compañía belga especializada en la fundición dedicada a los productos MEMS de señal analógica y mixta, presenta el XT018, el primer dispositivo primitivo de alta tensión de tecnología BCD-on-SOI fabricado […]

Módulos T: relés mecánicos y MOSFET

Omron Electronic Components Europe anuncia nuevas versiones para tensión y corriente elevadas de sus innovadores módulos T de relés MOSFET. Para esto, ofrecen la excepcional fiabilidad y durabilidad de los relés de estado sólido y una corriente de fuga excepcionalmente baja de solo 1 pA o menos, lo cual permite su uso en aplicaciones de […]

FET SiC de 6 mΩ para aplicaciones emergentes

Los nueve nuevos modelos de FET SiC anunciados proporcionan mejoras en la flexibilidad del diseño. UnitedSiC, fabricante de semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC), responde a la demanda de FET SiC con mejoras en rendimiento y eficiencia por parte de los diseñadores con el anuncio de un dispositivo de 750 V y 6 […]

MOSFET SiC de 1700 V sin encapsular

El catálogo de carburo de silicio con MOSFET SiC de 1700 V sin encapsular, discretos y módulos de potencia ofrece más opciones a los diseñadores para ampliar la eficiencia y la densidad de potencia. Los sistemas de carga eléctrica que alimentan en la actualidad los vehículos comerciales, así como sistemas de alimentación auxiliar, inversores solares, […]

MOSFET homologados resistentes a la radiación M6 MRH25N12U3

Microchip Technology anuncia la homologación de su MOSFET (Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor) resistente a la radiación M6 MRH25N12U3 de 250 V y 0,21 Ωde Rds(on) para aplicaciones aeroespaciales comerciales y espaciales de defensa. Así, proporciona el elemento de conmutación primaria en circuitos de conversión de potencia como convertidores en el punto de carga, convertidores CC/CC, accionamientos […]

MOSFET de alta densidad de 40 V en LFPAK88

Estos encapsulados LFPAK88 proporcionan un diseño robusto y fiable con características SOA y Avalancha, perfecto para industria y automoción. Nexperia anuncia nuevos MOSFET de potencia de 40 V con un RDS(on) de 0,55 mΩ en encapsulado LFPAK88 de alta fiabilidad para aplicaciones de automoción (BUK7S0R5-40H) y entornos industriales (PSMNR55-40SSH). Estos dispositivos se convierten en los […]