El dispositivo ISG3201 incluye dos HEMT InnoGaN de 100 V y 3,2 mΩ y circuitería de controlador en un encapsulado LGA de 5 x 6,5 x 1,1 mm. Innoscience Technology, compañía fundada para crear un ecosistema energético global basado en soluciones de alimentación de nitruro de galio en silicio (GaN-on-Si) de bajo coste, lanza el […]

Con una resistencia interna ultra baja, estos dispositivos de alimentación power switching HEMTs GaN EPC7018G y EPC7007B están indicados para su uso en aplicaciones que deban soportar altas radiaciones, como las espaciales. EPC Space, compañía dedicada a las soluciones GaN para la gestión de alimentación en aplicaciones sujetas al influjo de radiaciones, como las del […]