EPC7007 FET GaN de 200 V para misiones aeroespaciales críticas

El FET GaN rad-hard EPC7007 ofrece una RDSon ultrabaja en un formato diminuto (5,76 mm²). EPC anuncia la introducción del FET de nitruro de galio (GaN) radiation-hardened (rad–hard) EPC7007 con valores de 200 V, 25 mΩ y 80 A en un formato de 5,76 mm². Tiene una ratio de dosis total superior a 1 Mrad […]

Transistores GaN HEMT apantallados de 650 V y 60 A para...

Los transistores GaN HEMT TDG650E601TSP y TDG650E602TSP superan las pruebas NASA Level 1 para cumplir los requisitos de aplicaciones de alta fiabilidad. Teledyne e2v HiRel anuncia nuevas versiones con apantallado espacial de sus transistores de alta movilidad de electrones de nitruro de galio (GaN HEMT) de 650 V y 60 A. Los nuevos componentes superan […]

Transistor LDMOS Doherty RF B11G3338N80D

Trabajando en las frecuencias por debajo de la banda de los 6 GHz, el transistor LDMOS Doherty RF B11G3338N80D es útil en aplicaciones de estaciones base entre otras. Ampleon, empresa especializada en productos de potencia para comunicaciones de radiofrecuencia 4G y 5G para mercados como el industrial, el científico o el médico, presenta el B11G3338N80D, […]

TD99102 Transistor GaN y FET UltraCMOS

Pensado para su uso en aplicaciones de conmutación de alta velocidad, el transistor TD99102 también disminuye su impacto en espacio si lo comparamos con las opciones tradicionales. Teledyne e2v HiRel anuncia el TD99102, su nuevo transistor GaN y FET UltraCMOS de alta velocidad. Su velocidad de conmutación es de 20 MHz, y es idóneo para […]

CLF3H0060(S)-30 y CLF3H0035(S)-100 Transistores HEMT GaN-on-SiC de 30 y 100 W

Los transistores HEMT CLF3H0060(S)-30 y CLF3H0035(S)-100 cubren un amplio rango de frecuencia con alta linealidad. Ampleon anuncia el lanzamiento de dos nuevos transistores HEMT GaN-on-SiC de banda ancha en las clases de potencia de 30 W (CLF3H0060(S)-30) y 100 W (CLF3H0035(S)-100). Estos dispositivos de alta linealidad son los primeros productos del proceso HEMT GaN-SiC Generación […]

TP65H035G4WSQA FET SuperGaN Gen IV con calificación AEC-Q101

El FET SuperGaN Gen IV de 35 mΩ y 650 V TP65H035G4WSQA aporta mejoras en rendimiento y densidad de potencia a los vehículos eléctricos. Transphorm, empresa pionera en productos de conversión de potencia de nitruro de galio (GaN) de alto rendimiento, anuncia que su dispositivo SuperGaN Gen IV de 35 mΩ y 650 V ha […]

HEMT de potencia GaN reforzados

Teledyne e2v HiRel agrega dos nuevos HEMT de potencia GaN reforzados (transistores de alta movilidad de electrones) a su familia de productos de alta potencia de 650 voltios, basados en la tecnología de GaN Systems. Los dos nuevos HEMT de alta potencia, modelos TDG650E30B y TDG650E15B, ofrecen un rendimiento de corriente más bajo de 30 […]

Transistores de unión bipolar, un rival para los MOSFET

Los interruptores digitales se suelen crear usando MOSFET, pero los transistores de unión bipolar se han convertido en una alternativa a tener muy en cuenta cuando se trata de modelos con tensiones de saturación bajas. Según Thomas Bolz, director de productos estándar de Rutronik, para aquellas aplicaciones con tensiones y corrientes bajas no sólo ofrecen […]

Solución GaN para vehículos eléctricos

Pensada para su uso en varias aplicaciones, esta solución GaN para vehículos eléctricos mejora varios aspectos respecto a las soluciones predecesoras, tales como la densidad de potencia. Mouser Electronics, distribuidor global autorizado con los semiconductores y componentes electrónicos más nuevos, anuncia que Transphorm, especialista en semiconductores GaN (nitruro de galio, por sus siglas en inglés) […]