Diodos y transistores en SOT23 a +175 °C

Certificados para poder ser empleados en aplicaciones de la industria automotriz, estos diodos y transistores en un encapsulado SOT23 presentan una mayor potencia de disipación que los componentes básicos certificados para trabajar hasta los +175 °C. Nexperia, experta en componentes MOSFET y discretos, así como en circuitos integrados lógicos, anuncia los primeros diodos que soportan […]

Transistor LDMOS rugerizado

Siendo el primero que utiliza un nuevo proceso de construcción desarrollado por la fabricante, este transistor LDMOS rugerizado se presenta en un encapsulado cerámico capaz de resistir las condiciones de trabajo más exigentes. Ampleon, especialista en soluciones de radiofrecuencia para aplicaciones de banda amplia móvil, emisión de radio y televisión, láseres de CO2 y plasma, […]

Transistor de potencia RF de 750 W a 915 MHz

Ampleon anuncia un nuevo transistor de potencia RF de 750 W. El BLF0910H9LS750P alcanza una eficiencia del 72,5 por ciento a 915 MHz en un diseño compacto y robusto que resulta ideal en aplicaciones de energía RF industriales y profesionales. Este dispositivo, que opera con frecuencias de 902 a 928 MHz, puede rendir en sistemas […]

Transistores HEMT GaN con elevada densidad de potencia

Los transistores HEMT GaN con elevada densidad de potencia CoolGaN permiten una conmutación de alta velocidad en diseños compactos. Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, anuncia la disponibilidad en stock de los transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de nitruro de galio (GaN) CoolGaN de su […]

Transistor RF de elevada potencia

El nuevo transistor RF de elevada potencia para entornos industriales y profesionales BLC2425M10LS500P de 500 W es ideal en aplicaciones pulsadas y CW en el rango de frecuencia de 2400 a 2500 MHz. Ampleon anuncia su transistor de potencia RF LDMOS BLC2425M10LS500P de 500 W que está especialmente diseñado para aplicaciones pulsadas y CW, ya […]

Transistores SiC de próxima generación

Sumitomo Electric ha desarrollado transistores SiCde superunión V-groove mediante un proyecto conjunto con el Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología Industriales Avanzadas (AIST) en el que han usado semiconductores de carburo de silicio (SiC) y alcanzado la mínima resistencia on-state (1,170 V / 0.63 mΩ∙cm2). Sumitomo Electric ya había creado anteriormente MOSFET V-groove (VMOSFET), que […]

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FET SiC en encapsulado Kelvin

UnitedSiC ha ampliado su serie UF3C FAST con la introducción de una gama adicional de FET SiC (de carburo de silicio) en una opción de encapsulado Kelvin Sense TO-247-4L. Basada en una configuración en cascada eficiente, esta nueva serie ofrece a los diseñadores dispositivos de elevada potencia y rápida conmutación en un encapsulado con alta […]

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JFET SiC a 650 y 1200 V de tercera generación

Estos nuevos JFET SiC a 650 y 1200 V de tercera generación se dirigen a protección de circuito en proyectos ferroviarios, aeronaves y tracción. UnitedSiC ha anunciado sus JFET (transistor de efecto de campo de juntura o unión) de carburo de silicio (SiC) de 650 y 1200 V Generation 3 como parte de la ampliación […]

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Transistor robusto RF de 250 W

El transistor robusto RF de 250 W titulado BLC2425M10LS250 ofrece una eficiencia del 69 por ciento y soporta VSWR 20:1 en todas las fases. Ampleon ha ampliado su línea de transistores RF LDMOS de elevada potencia para uso en aplicaciones de energía RF de onda continua (CW). El BLC2425M10LS250 ofrece una eficiencia de hasta el […]

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