Circuitos con transistores GaN de 750 V

Los nuevos circuitos con transistores GaN de 750 V INN3x78C con tecnología PowiGaN aporta una eficiencia de hasta el 94 por ciento en regiones con cierta inestabilidad en el suministro eléctrico. Power Integrations anuncia la ampliación de sus familias InnoSwitch3 de circuitos integrados (CI) offline CV/CC flyback switcher con la incorporación de los dispositivos INN3x78C […]

Plataforma de tecnología BCD-on-SOI de 180 nm

Plataforma de tecnología BCD-on-SOI de 180 nm para automoción y optimizada para actuadores inteligentes y sistemas de gestión de potencia. X-FAB Silicon Foundries SE anuncia la disponibilidad de nuevos transistores de media tensión que complementan a la plataforma de tecnología BCD-on-SOI de 180 nm (XT018) de la compañía. Los nuevos dispositivos de media tensión cubren […]

Transistor LDMOS de 500 W

Rugerizado para aguantar los entornos de trabajo más exigentes, este nuevo transistor LDMOS de 500 W ha sido pensado para su uso en aplicaciones de calefacción o descongelación entre otras. La holandesa Ampleon anuncia el lanzamiento de su nuevo transistor LDMOS BLP05H9S500P, el cual opera en la banda de los 433 MHz y pasa por […]

HEMT de potencia GaN de 650 V para proyectos espaciales

Nuevo HEMT de potencia GaN de 650 V para proyectos espaciales que se suministra en versiones con refrigeración en las partes superior e inferior, lo que mejora su rendimiento. Teledyne e2v HiRel lanza un nuevo transistor de alta movilidad de electrones (HEMT – High Electron Mobility Transistor) de potencia de 650 V / 60 A […]

FETs SiC con RDS(on) de menos de 10 mΩ

Anuncio de los nuevos transistores FETs SiC con RDS(on) de menos de 10 mΩ que resultan ideales en inversores de vehículos eléctricos (VE), convertidores DC-DC, cargadores de batería de alta corriente y disyuntores de estado sólido. Mouser Electronics, distribuidor global autorizado con los semiconductores y componentes electrónicos más nuevos, anuncia que su representada UnitedSiC, fabricante […]

Transistores bipolares de hasta 8 A

Los nuevos transistores bipolares de hasta 8 A presentados por Nexperia se suministran en encapsulados DPAK y poseen la calificación AEC-Q101. Nexperia, fabricante experto en componentes MOSFET y discretos, anuncia nuevos transistores bipolares de 3 y 8 A MJD para el sector de la automoción (AEC-Q101) y aplicaciones de consumo e industriales. La familia consta […]

Transistores FETs GaN

Utilizados en aplicaciones como fuentes de alimentación u ordenadores, estos FETs GaN proporcionan un mayor rendimiento a niveles de corriente más altos. Mouser Electronics, distribuidor global autorizado con los semiconductores y componentes electrónicos más nuevos, anuncia la adición de dos nuevos semiconductores FET (Field-Effect Transistor) de Transphorm basados en la tecnología del nitruro de galio, […]

Diodos y transistores en SOT23 a +175 °C

Certificados para poder ser empleados en aplicaciones de la industria automotriz, estos diodos y transistores en un encapsulado SOT23 presentan una mayor potencia de disipación que los componentes básicos certificados para trabajar hasta los +175 °C. Nexperia, experta en componentes MOSFET y discretos, así como en circuitos integrados lógicos, anuncia los primeros diodos que soportan […]

Transistor LDMOS rugerizado

Siendo el primero que utiliza un nuevo proceso de construcción desarrollado por la fabricante, este transistor LDMOS rugerizado se presenta en un encapsulado cerámico capaz de resistir las condiciones de trabajo más exigentes. Ampleon, especialista en soluciones de radiofrecuencia para aplicaciones de banda amplia móvil, emisión de radio y televisión, láseres de CO2 y plasma, […]