HEMT de potencia GaN reforzados

Teledyne e2v HiRel agrega dos nuevos HEMT de potencia GaN reforzados (transistores de alta movilidad de electrones) a su familia de productos de alta potencia de 650 voltios, basados en la tecnología de GaN Systems. Los dos nuevos HEMT de alta potencia, modelos TDG650E30B y TDG650E15B, ofrecen un rendimiento de corriente más bajo de 30 […]

Transistores de unión bipolar, un rival para los MOSFET

Los interruptores digitales se suelen crear usando MOSFET, pero los transistores de unión bipolar se han convertido en una alternativa a tener muy en cuenta cuando se trata de modelos con tensiones de saturación bajas. Según Thomas Bolz, director de productos estándar de Rutronik, para aquellas aplicaciones con tensiones y corrientes bajas no sólo ofrecen […]

Solución GaN para vehículos eléctricos

Pensada para su uso en varias aplicaciones, esta solución GaN para vehículos eléctricos mejora varios aspectos respecto a las soluciones predecesoras, tales como la densidad de potencia. Mouser Electronics, distribuidor global autorizado con los semiconductores y componentes electrónicos más nuevos, anuncia que Transphorm, especialista en semiconductores GaN (nitruro de galio, por sus siglas en inglés) […]

LDMOS de 250 W para ISM de 2,45 GHz

El LDMOS de 250 W para ISM de 2,45 GHz BLP2425M10S250P combina un elevado rendimiento y un bajo coste. La compañía holandesa Ampleon anuncia el BLP2425M10S250P, un transistor de potencia RF de 250 W para cocinas en estado sólido y aplicaciones ISM en la banda de frecuencia de 2400 a 2500 MHz. Usando un proceso […]

Transistores amplificadores de potencia RF

El fabricante presenta nuevos transistores amplificadores de potencia RF y Doherty de banda ancha ideales en transmisores de emisión de televisión UHF de próxima generación. La holandesa Ampleon, especialista en soluciones de radiofrecuencia para aplicaciones de banda amplia móvil, emisión de radio y televisión, láseres de CO2 y plasma, aceleradores de partículas y control de […]

Tecnología disruptiva de transistores

La tecnología disruptiva de transistores Bizen ofrece transistores de potencia QJT con un rendimiento similar al WBG en sustratos de silicio estándar con un aumento de rendimiento de 5 a 10 veces del transistor de unión cuántica proporciona 1200 V / 75 A en un paquete TO247. Bizen, la nueva tecnología disruptiva de proceso de […]

FET GaN de 900 V para productos de energía

El FET GaN de 900 V TP90H050WS se dirige a entornos industriales e instalaciones de energías renovables. Mouser Electronics, distribuidor global autorizado con los semiconductores y componentes electrónicos más nuevos, anuncia que el modelo TP90H050WS de Transphorm, su segundo FET de nitruro de galio (GaN) de 900 V (tras el TP90H180PS), ya se encuentra en […]

Transistores PNP para iluminación por matrices LED en vehículos

Los nuevos transistores PNP para iluminación por matrices LED en vehículos, modelos ZXTP56060FDBQ y ZXTP56020FDBQ, ofrecen una solución eficiente a la industria del automóvil. Diodes anuncia la disponibilidad de los transistores PNP duales ZXTP56060FDBQ y ZXTP56020FDBQ de grado automoción. Estos nuevos productos ofrecen a los OEM una solución muy eficiente a la hora de controlar […]

Transistores de potencia RF para VHF y UHF

Los nuevos transistores de potencia RF Si LDMOS de 50 V para VHF y UHF, modelos BLF974P (500 W) y BLF978P (1200 W), alcanzan una eficiencia del 80 por ciento. Ampleon anuncia dos incorporaciones a su línea de transistores de potencia RF de alta eficiencia Si LDMOS de 50 V de novena generación. Diseñados para […]