UF4C y UF4SC FET de Sic de cuarta generación de 1200 V
Mouser Electronics, el distribuidor líder del sector en introducción de nuevos productos con la mayor selección de semiconductores y componentes electrónicos, ya tiene en stock los FET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V UF4C y UF4SC de Qorvo. Esta familia de componentes de cuarta generación, que forma parte de la extensa línea de FET de SiC de alto […]
EPC2066 Transistor eGaN de elevada eficiencia y pequeño tamaño
El FET GaN EPC2066 resulta ideal en aplicaciones de alto rendimiento con restricciones de espacio. Efficient Power Conversion (EPC), fabricante de FET y circuitos integrados (CI) de nitruro de galio enhancement–mode (eGaN), amplía su oferta de transistores GaN de baja tensión con la introducción del FET GaN EPC2066 (0,8 mΩ típico, hasta 1,18 mΩ y […]
EPC7007 FET GaN de 200 V para misiones aeroespaciales críticas
El FET GaN rad-hard EPC7007 ofrece una RDSon ultrabaja en un formato diminuto (5,76 mm²). EPC anuncia la introducción del FET de nitruro de galio (GaN) radiation-hardened (rad–hard) EPC7007 con valores de 200 V, 25 mΩ y 80 A en un formato de 5,76 mm². Tiene una ratio de dosis total superior a 1 Mrad […]
Transistores GaN HEMT apantallados de 650 V y 60 A para...
Los transistores GaN HEMT TDG650E601TSP y TDG650E602TSP superan las pruebas NASA Level 1 para cumplir los requisitos de aplicaciones de alta fiabilidad. Teledyne e2v HiRel anuncia nuevas versiones con apantallado espacial de sus transistores de alta movilidad de electrones de nitruro de galio (GaN HEMT) de 650 V y 60 A. Los nuevos componentes superan […]
Transistor LDMOS Doherty RF B11G3338N80D
Trabajando en las frecuencias por debajo de la banda de los 6 GHz, el transistor LDMOS Doherty RF B11G3338N80D es útil en aplicaciones de estaciones base entre otras. Ampleon, empresa especializada en productos de potencia para comunicaciones de radiofrecuencia 4G y 5G para mercados como el industrial, el científico o el médico, presenta el B11G3338N80D, […]
TD99102 Transistor GaN y FET UltraCMOS
Pensado para su uso en aplicaciones de conmutación de alta velocidad, el transistor TD99102 también disminuye su impacto en espacio si lo comparamos con las opciones tradicionales. Teledyne e2v HiRel anuncia el TD99102, su nuevo transistor GaN y FET UltraCMOS de alta velocidad. Su velocidad de conmutación es de 20 MHz, y es idóneo para […]
CLF3H0060(S)-30 y CLF3H0035(S)-100 Transistores HEMT GaN-on-SiC de 30 y 100 W
Los transistores HEMT CLF3H0060(S)-30 y CLF3H0035(S)-100 cubren un amplio rango de frecuencia con alta linealidad. Ampleon anuncia el lanzamiento de dos nuevos transistores HEMT GaN-on-SiC de banda ancha en las clases de potencia de 30 W (CLF3H0060(S)-30) y 100 W (CLF3H0035(S)-100). Estos dispositivos de alta linealidad son los primeros productos del proceso HEMT GaN-SiC Generación […]
TP65H035G4WSQA FET SuperGaN Gen IV con calificación AEC-Q101
El FET SuperGaN Gen IV de 35 mΩ y 650 V TP65H035G4WSQA aporta mejoras en rendimiento y densidad de potencia a los vehículos eléctricos. Transphorm, empresa pionera en productos de conversión de potencia de nitruro de galio (GaN) de alto rendimiento, anuncia que su dispositivo SuperGaN Gen IV de 35 mΩ y 650 V ha […]
