Transistores con dos resistencias (RET) de 500 mA en encapsulado DFN2020(D)-6
Ideales en aplicaciones con restricciones de espacio, los nuevos RET posibilitan una conmutación de carga de alta potencia. Nexperia, compañía experta en semiconductores, lanza una nueva serie transistores equipados con dos resistencias (RET) de 500 mA en encapsulado DFN2020(D)-6 ultracompacto. Estos dispositivos han sido diseñados para tareas de conmutación de carga en wearables y teléfonos […]
FET GaN e-mode para aplicaciones de baja y alta tensión
Los nuevos modelos Power FET GaN, que cumplen el estándar JEDEC, superan los requisitos de una amplia variedad de sectores. Nexperia, compañía experta en semiconductores, lanza su primeros FET de nitruro de galio de potencia (Power GaN FET) en configuración de “modo mejorado” (e-mode) para aplicaciones de baja (100/150 V) y alta (650 V) tensión. […]
CoolGaN Transistores HEMT GIT de 600 V para numerosas aplicaciones
Superando los requisitos de los estándares JEDEC, los nuevos transistores HD-GIT CoolGaN de 600 V aportan mejoras en rendimiento, eficiencia y robustez. Infineon Technologies ha integrado exitosamente el transistor de inyección de puerta hybrid–drain–embedded (HD-GIT) de 600 V CoolGaN en su proceso de fabricación. La compañía ahora lanza un catálogo completo de dispositivos de nitruro […]
UF4C y UF4SC FET de Sic de cuarta generación de 1200 V
Mouser Electronics, el distribuidor líder del sector en introducción de nuevos productos con la mayor selección de semiconductores y componentes electrónicos, ya tiene en stock los FET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V UF4C y UF4SC de Qorvo. Esta familia de componentes de cuarta generación, que forma parte de la extensa línea de FET de SiC de alto […]
EPC2066 Transistor eGaN de elevada eficiencia y pequeño tamaño
El FET GaN EPC2066 resulta ideal en aplicaciones de alto rendimiento con restricciones de espacio. Efficient Power Conversion (EPC), fabricante de FET y circuitos integrados (CI) de nitruro de galio enhancement–mode (eGaN), amplía su oferta de transistores GaN de baja tensión con la introducción del FET GaN EPC2066 (0,8 mΩ típico, hasta 1,18 mΩ y […]
EPC7007 FET GaN de 200 V para misiones aeroespaciales críticas
El FET GaN rad-hard EPC7007 ofrece una RDSon ultrabaja en un formato diminuto (5,76 mm²). EPC anuncia la introducción del FET de nitruro de galio (GaN) radiation-hardened (rad–hard) EPC7007 con valores de 200 V, 25 mΩ y 80 A en un formato de 5,76 mm². Tiene una ratio de dosis total superior a 1 Mrad […]
Transistores GaN HEMT apantallados de 650 V y 60 A para...
Los transistores GaN HEMT TDG650E601TSP y TDG650E602TSP superan las pruebas NASA Level 1 para cumplir los requisitos de aplicaciones de alta fiabilidad. Teledyne e2v HiRel anuncia nuevas versiones con apantallado espacial de sus transistores de alta movilidad de electrones de nitruro de galio (GaN HEMT) de 650 V y 60 A. Los nuevos componentes superan […]
Transistor LDMOS Doherty RF B11G3338N80D
Trabajando en las frecuencias por debajo de la banda de los 6 GHz, el transistor LDMOS Doherty RF B11G3338N80D es útil en aplicaciones de estaciones base entre otras. Ampleon, empresa especializada en productos de potencia para comunicaciones de radiofrecuencia 4G y 5G para mercados como el industrial, el científico o el médico, presenta el B11G3338N80D, […]
TD99102 Transistor GaN y FET UltraCMOS
Pensado para su uso en aplicaciones de conmutación de alta velocidad, el transistor TD99102 también disminuye su impacto en espacio si lo comparamos con las opciones tradicionales. Teledyne e2v HiRel anuncia el TD99102, su nuevo transistor GaN y FET UltraCMOS de alta velocidad. Su velocidad de conmutación es de 20 MHz, y es idóneo para […]
