MB85AS12MT ReRAM de 12 Mbit para dispositivos vestibles
La ReRAM MB85AS12MT combina densidad y eficiencia en un encapsulado WL-CSP de once pines. Fujitsu Semiconductor Memory Solution anuncia el lanzamiento del modelo MB85AS12MT, una memoria de acceso aleatorio resistiva (ReRAM) de 12 Mbit (1.5 M x 8 bit), que supone la mayor densidad de la familia ReRAM de la compañía. Esta memoria no volátil, […]