MOSFET Nch de baja resistencia en conducción
ROHM Semiconductor presenta su última línea de MOSFET Nch (transistores de efecto de campo de canal n) que se destacan por su baja resistencia en conducción y alto rendimiento en una amplia variedad de aplicaciones. Estos MOSFET están diseñados para funcionar eficientemente en fuentes de alimentación de 24, 36 o 48 V, lo que los […]
EiceDRIVER CI de control de puerta con aislamiento galvánico para SMPS...
La nueva generación de CI EiceDRIVER ofrece una solución completa con muchas más opciones a una amplia variedad de aplicaciones. Infineon Technologies introduce la próxima generación de la familia EiceDRIVER de circuitos integrados (CI) de control de puerta aislada galvánicamente de canal dual para fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de 3,3 kW. Esta familia de […]
SSM14N956L MOSFET common-drain de 12 V para protección de baterías Li-ion
Con un encapsulado TCSPED-302701, el MOSFET SSM14N956L salvaguarda los paquetes de batería en dispositivos móviles. Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation («Toshiba«) anuncia el lanzamiento del modelo SSM14N956L, un MOSFET de canal-N common–drain de 12 V con una corriente de 20 A. Está diseñado para su uso en circuitos de protección en paquetes de batería […]
Extensores GPIO I2C NCA95xx en encapsulados TSSOP24 y HWQFN24
Los extensores GPIO I2C NCA95xx operan en los rangos de temperatura de -40 a +85 y de -40 a +125 °C. Nexperia, compañía experta en semiconductores, lanza los extensores E/S de propósitos generales (GPIO) I2C NCA95xx, que ofrecen una alternativa elegante cuando se necesitan E/S adicionales, manteniendo las interconexiones. Disponibles en encapsulados TSSOP24 y HWQFN24 […]
Controlador para BLDCs monofásicos MP6651
Con características de robustez y versatilidad, el controlador para BLDCs monofásicos MP6651 se hace idóneo para una amplia diversidad de aplicaciones. MPS (Monolithic Power Systems), especialista en soluciones de potencia para los ámbitos industrial, de las telecomunicaciones, o automotriz entre otros, presenta su nuevo controlador MP6651 para motores de corriente continua sin escobillas (BLDCs, por […]
FET GaN e-mode para aplicaciones de baja y alta tensión
Los nuevos modelos Power FET GaN, que cumplen el estándar JEDEC, superan los requisitos de una amplia variedad de sectores. Nexperia, compañía experta en semiconductores, lanza su primeros FET de nitruro de galio de potencia (Power GaN FET) en configuración de “modo mejorado” (e-mode) para aplicaciones de baja (100/150 V) y alta (650 V) tensión. […]
UCC5880-Q1 Controlador de puerta aislado SiC para inversores de tracción de...
El controlador de puerta UCC5880-Q1 supera los requisitos de seguridad y rendimiento y aumenta la autonomía de los vehículos. Texas Instruments (TI), compañía especializada en tecnología de alta tensión, anuncia un controlador de puerta aislado y altamente integrado con funciones de seguridad funcional que permite a los ingenieros diseñar inversores de tracción más eficientes y […]
BH66F5355 MCU A/D de 24 bit para electromedicina
El MCU A/D BH66F5355, con 24 bit de precisión y sensor de temperatura integrado, es una excelente posibilidad para productos de medición de alta precisión, como básculas, tensiómetros y termómetros. En colaboración con Anatronic, Holtek, uno de los principales fabricantes de la industria, anuncia la disponibilidad de este nuevo y mejorado conversor Delta-Sigma Flash A/D […]
CoolGaN Transistores HEMT GIT de 600 V para numerosas aplicaciones
Superando los requisitos de los estándares JEDEC, los nuevos transistores HD-GIT CoolGaN de 600 V aportan mejoras en rendimiento, eficiencia y robustez. Infineon Technologies ha integrado exitosamente el transistor de inyección de puerta hybrid–drain–embedded (HD-GIT) de 600 V CoolGaN en su proceso de fabricación. La compañía ahora lanza un catálogo completo de dispositivos de nitruro […]
