MOSFET Super Junction de 600 y 700 V

Nuevos MOSFET Super Junction de 600 y 700 V en tecnologías de 300 mm que cumplen los requisitos de eficiencia y densidad de múltiples aplicaciones. Alpha and Omega Semiconductor (AOS) anuncia el lanzamiento de las familias αMOS5 Super Junction MOSFET de 600 y 700 V en tecnologías de 300 mm. αMOS5 es la última generación […]

MOSFET GaN vertical de 100 A

El nuevo MOSFET GaN vertical con corriente operativa de 100 A es un dispositivo de alimentación ideal en conversión de potencia en electrodomésticos, movilidad, industria y otros muchos campos. Toyoda Gosei desarrolla un dispositivo semiconductor de alimentación MOSFET GaN vertical con una corriente operativa de 100 A en un solo chip, uno de los niveles […]

MOSFET SiC de 1700 V para convertidores CA/CC

ROHM anuncia la disponibilidad de MOSFET SiC de 1700 V para convertidores CA/CC, pertenecientes a la serie BM2SCQ12xT-LBZ. Esta serie se optimizó para aplicaciones industriales, que incluyen luminarias públicas, sistemas de aire acondicionado comerciales y servos e inversores de CA de uso general utilizados en dispositivos de alta potencia. Los semiconductores de potencia de SiC […]

MOSFETs Super Junction de 600 V

Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, anuncia una nueva gama de MOSFETs Super Junction de 600 V, de la serie PrestoMOS, que incluye 30 nuevos modelos. Esta serie, fabricada por ROHM Semiconductor, aumenta la flexibilidad de diseño al mismo tiempo que mantiene el tiempo de recuperación inversa […]

MOSFET SOA para sistemas hot swap

El nuevo MOSFET SOA para sistemas hot swap AONS32100 de este fabricante resulta ideal en infraestructuras de servidores. Alpha and Omega Semiconductor introduce el modelo AONS32100, un nuevo dispositivo que ofrece baja Rdson con altas capacidades de elevada Área Operativa Segura (SOA) y está especialmente indicado en aplicaciones reemplazables sin parar la carga (hot swap) […]

Fuentes con redundancia MOSFET integrada

El fabricante alemán PULS, distribuida por Electrónica OLFER, presenta las nuevas fuentes con redundancia MOSFET integrada para alimentación de la serie DIMENSION. En concreto, el modelo CP10.241-R2 incluye un sistema de redundancia por transistor MOSFET para aplicaciones que necesitan la máxima fiabilidad y eficiencia. No solo permite crear aplicaciones redundantes 1+1 y N+1 sin la […]

MOSFET para automoción de baja RDS(on) y 40 V

Con un formato de 3 x 3 mm (encapsulado LFPAK33), los nuevos MOSFET para automoción de baja RDS(on) y 40 V, modelos BUK7M3R3-40H y BUK9M3R3-40H de hasta 300 W, resulta ideales en aplicaciones de powertrain. Nexperia, fabricante de dispositivos discretos, lógicos y MOSFET, introduce una nueva gama de componentes electrónicos de baja RDS(on) y 40 […]

MOSFET con encapsulado de elevada eficiencia

El distribuidor internacional Mouser Electronics ha anunciado la disponibilidad en stock de los MOSFET con encapsulado de elevada eficiencia de STMicroelectronics, uno de los mayores fabricantes de productos semiconductores, ha introducido el primer MDmesh V Super-Junction MOSFET con una nueva tecnología de encapsulado que incrementa la eficiencia de la circuitería eléctrica en electrodomésticos, televisores, ordenadores […]

Módulos de potencia MOSFET

Nuevos módulos de potencia MOSFET para SAIs y almacenamiento de energía que ayudan a reducir los costes de sistema al incrementar la densidad. Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, informa que su representada Infineon Technologies pretende responder a la creciente demanda de soluciones de carburo de silicio […]