AONS30300 MOSFET de 30 V para servidores reemplazables sin parar la...

El MOSFET AONS30300 de baja resistencia está optimizado para aplicaciones de 12 V en la infraestructura del centro de datos. Alpha and Omega Semiconductor, diseñador, desarrollador y fabricante de semiconductores de potencia, circuitos integrados (CI) y productos digitales, anuncia el lanzamiento del modelo AONS30300, un MOSFET de 30 V con baja resistencia (on–resistance). El AONS30300, […]

SiHK045N60EF MOSFET n-channel de 600 V en encapsulado PowerPAK 10 x...

El MOSFET de 600 V SiHK045N60EF se caracteriza por alta densidad, elevada eficiencia y bajas pérdidas de conducción y conmutación. Vishay Intertechnology introduce un nuevo MOSFET de diodo fast body de la Serie EF de 600 V de cuarta generación en el encapsulado PowerPAK 10 x 12 de bajo perfil. Ofreciendo eficiencia y densidad de […]

MOSFET MV de 200 V de tercera generación

Los nuevos MOSFET MV de 200 V cumplen los requisitos de controladores de motor de vehículos eléctricos ligeros (LEV) y fuentes de alimentación industriales. Magnachip Semiconductor anuncia la introducción de sus transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de media tensión (MV) de 200 V de tercera generación para controladores de motor de vehículos eléctricos […]

MOSFETs PMCB60XN y PMCB60XNE

Con un voltaje soportado de 30 V, a los MOSFETs PMCB60XN y PMCB60XNE debe añadírseles el PMCA14UN de 12 V. Nexperia, firma neerlandesa especializada en la producción de semiconductores esenciales para el diseño de aparatos electrónicos electrónicos, presenta sus nuevos MOSFETs PMCB60XN y PMCB60XNE de 30 V. Podemos encontrar más información del primer modelo aquí, […]

MOSFET de 24 V para baterías de auriculares inalámbricos

El nuevo MOSFET de 24 V protege la circuitería y ayuda a alargar la vida de la batería tras una carga rápida. Magnachip Semiconductor anuncia un nuevo transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de 24 V para baterías de auriculares inalámbricos. Este MOSFET de 24 V pretende ayudar a los diseñadores a alargar la […]

MOSFET miniaturizado DFN0603

Con diversos ejemplares que cuentan, en algún caso, con protección ESD, el MOSFET miniaturizado DFN0603 mantiene el rendimiento pero ocupando un menor espacio en la placa. La neerlandesa Nexperia, compañía especializada en producción de gran volumen de semiconductores esenciales para dispositivos electrónicos, presenta su nuevo MOSFET miniaturizado DFN0603, el más pequeño del mundo, según la […]

AQY215S Relé MOSFET con tensión de carga de 100 V

El relé AQY215S, que complementa la familia GU (General Use) PhotoMOS, se puede utilizar en robótica, PLC, módulos E/S y equipos de prueba y medida. Panasonic Industry anuncia el modelo AQY215S con tensión de carga de 100 V que, complementando su serie GU (General Use) de relés MOSFET (PhotoMOS), satisface las necesidades de un buen […]

Clip de cobre para MOSFETs

Pensado para aplicaciones de alta densidad, este clip de cobre para MOSFETs de UTAC proporciona un rendimiento eléctrico mejorado. UTAC Holdings, proveedora de servicios de ensamblaje y testeo para un amplio abanico de chips semiconductores, anuncia su nuevo clip de cobre en encapsulado DFN, el cual se dirige al mercado de los MOSFETs de alimentación. […]

MOSFETs CoolSiC con tecnología M1H

Optimizados para sistemas de 1.500 V, los MOSFETs CoolSiC ya se encuentran disponibles en forma de muestras. Infineon, especialista en soluciones de semiconductores, anuncia la expansión de la serie CoolSiC de MOSFETs para responder a la creciente demanda de alta densidad de potencia que lleva a los desarrolladores a adoptar los enlaces de 1.500 VDC […]