Clip de cobre para MOSFETs

Pensado para aplicaciones de alta densidad, este clip de cobre para MOSFETs de UTAC proporciona un rendimiento eléctrico mejorado. UTAC Holdings, proveedora de servicios de ensamblaje y testeo para un amplio abanico de chips semiconductores, anuncia su nuevo clip de cobre en encapsulado DFN, el cual se dirige al mercado de los MOSFETs de alimentación. […]

MOSFETs CoolSiC con tecnología M1H

Optimizados para sistemas de 1.500 V, los MOSFETs CoolSiC ya se encuentran disponibles en forma de muestras. Infineon, especialista en soluciones de semiconductores, anuncia la expansión de la serie CoolSiC de MOSFETs para responder a la creciente demanda de alta densidad de potencia que lleva a los desarrolladores a adoptar los enlaces de 1.500 VDC […]

BUK9M20-60EL MOSFET de aplicación específica (ASFET) para airbags

El ASFET BUK9M20-60EL, que forma parte de un nuevo catálogo de productos, ofrece un excelente rendimiento en modo lineal transitorio y usa una tecnología trench SOA de última generación en un encapsulado LFPAK33. Nexperia, compañía experta en semiconductores, lanza un nuevo catálogo de MOSFET de aplicación específica (ASFET) para airbags a bordo de automóviles, donde […]

MOSFET de 40 V para el control de motores BLDC en...

Este MOSFET de 40 V con baja RDS(on) contribuye a incrementar la eficiencia de los motores BLDC. Debido a las preocupaciones sobre el cambio climático global y los esfuerzos correspondientes para reducir las emisiones de carbono, el mercado del vehículo eléctrico (VE) sigue creciendo significativamente. Y por ello, también aumenta la demanda de motores de […]

TPH9R00CQH MOSFET de 150 V con proceso U-MOSX-H

El MOSFET TPH9R00CQH reduce las pérdidas y los picos de tensión en fuentes de alimentación conmutadas. Toshiba Electronics Europe (“Toshiba”) lanza un nuevo MOSFET de potencia de canal-N de 150 V que usa el proceso U-MOSX-H de última generación para reducir significativamente las pérdidas. Además, los picos de tensión entre el desagüe y la fuente […]

Dispositivos MOSFET Electrotérmicos

Pensados para llevar a cabo simulaciones por parte de los desarrolladores, los dispositivos MOSFET Electrotérmicos se presentan con una amplia variedad de modelos. La holandesa Nexperia, compañía experta en semiconductores esenciales, anuncia el lanzamiento de los nuevos modelos Electrotérmicos mejorados de sus dispositivos MOSFET. Estos nuevos modelos pueden capturar la interdependencia térmica de todo el […]

Componentes SiC de 3,3 kV

Los MOSFET y diodos de barrera Schottky son componentes SiC de 3,3 kV que ofrecen nuevas opciones a los diseñadores para electrónica de potencia de alta tensión en transporte, energía y sistemas industriales. Microchip Technology anuncia la ampliación de su catálogo de componentes SiC con la presentación de los MOSFET de 3,3 kV con la […]

MOSFET Super Junction αMOS5 de 600 V y 110 y 140...

Con un encapsulado DFN8x8, los MOSFET αMOS5 AONV110A60 y AONV140A60 se dirigen a servidores, microinversores fotovoltaicos y adaptadores delgados. Alpha and Omega Semiconductor, diseñador, desarrollador y fabricante de semiconductores de potencia, circuitos integrados (CI) y productos digitales, anuncia el lanzamiento de MOSFET Super Junction αMOS5 de 600 V y 110 y 140 mΩ en encapsulado […]

SiJH600E y SiJH800E MOSFET de canal-N de 60 y 80 V...

Ofreciendo una RDS(ON) desde 0,65 mΩ, los MOSFET SiJH600E y SiJH800E con diseño compacto contribuyen a aumentar la fiabilidad a nivel tarjeta. Vishay Intertechnology introduce dos nuevos MOSFET TrenchFET de canal-N que tienen el objetivo de “aumentar la densidad de potencia, la eficiencia y la fiabilidad a nivel tarjeta” en telecomunicaciones y aplicaciones industriales. Para […]