Módulo MOSFET SiC 1200V SQPR001(A)
Diseñado para aplicaciones industriales, el módulo MOSFET SiC 1200V SQPR001(A) soporta la operativa a altas temperaturas. SemiQ, compañía dedicada íntegramente a las soluciones SiC (carburo de silicio) estandarizadas y a medida para aplicaciones de alto voltaje, presenta la expansión de su línea de módulos con el MOSFET 1200V SQPR001(A), diseñado para su uso en aplicaciones […]
MOSFET super-junction de 600 V en la serie R60xxRNx
ROHM Semiconductor mejora su línea de productos PrestoMOS de MOSFET de super- junction de 600 V con tres nuevos modelos de la serie R60xxRNx. En respuesta a las restricciones en el suministro eléctrico a nivel mundial y la creciente demanda de mayor eficiencia energética en los equipos, los accionamientos de motores representan una parte significativa, […]
MOSFET de potencia TK055U60Z1 de 600 V
Toshiba Electronics Europe introduce en el mercado una serie de MOSFET de potencia de canal N, encabezada por el modelo TK055U60Z1, fruto de la sólida estructura superjunction implementada con la última generación del proceso tecnológico de Toshiba. Enarbolando la vanguardia tecnológica, el MOSFET primigenio de la serie DTMOSVI, provisto de canal N superjunction y una […]
MOSFET Nch de baja resistencia en conducción
ROHM Semiconductor presenta su última línea de MOSFET Nch (transistores de efecto de campo de canal n) que se destacan por su baja resistencia en conducción y alto rendimiento en una amplia variedad de aplicaciones. Estos MOSFET están diseñados para funcionar eficientemente en fuentes de alimentación de 24, 36 o 48 V, lo que los […]
SSM14N956L MOSFET common-drain de 12 V para protección de baterías Li-ion
Con un encapsulado TCSPED-302701, el MOSFET SSM14N956L salvaguarda los paquetes de batería en dispositivos móviles. Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation («Toshiba«) anuncia el lanzamiento del modelo SSM14N956L, un MOSFET de canal-N common–drain de 12 V con una corriente de 20 A. Está diseñado para su uso en circuitos de protección en paquetes de batería […]
MOSFET SJ de 600 V con diodos de cuerpo de recuperación...
Los nuevos MOSFET SJ de 600 V, que tienen una RDS(on) desde 44 mΩ, superan los requisitos cambiantes de cargadores de vehículos eléctricos y servidores. Magnachip Semiconductor anuncia el lanzamiento de una nueva familia de transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal Super Junction (MOSFET SJ) de 600 V, compuesta por […]
αMOS7 MOSFET SJ de 600 V y 50 mΩ
Los MOSFET αMOS7 de próxima generación son ideales en centros de datos hiperescala, rectificadores 5G, carga de VE e inversores solares. Alpha and Omega Semiconductor, diseñador, desarrollador y fabricante de semiconductores de potencia, circuitos integrados (CI) y productos digitales, anuncia el lanzamiento de la 600V αMOS7 Super Junction MOSFETs Family, diseñada para cumplir los requisitos […]
AMDUA040N070RH MOSFET MXT de 40 V con encapsulado dual PDFN56 para...
El MOSFET MXT de 40 V AMDUA040N070RH contribuye a reducir el tamaño y las pérdidas de conducción en el sistema. Magnachip Semiconductor anuncia el comienzo de la producción masiva de su nuevo transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) MXT de 40 V, optimizado para bombas de agua eléctricas (EWP) y bombas de aceite eléctricas […]
MOSFET MXT con tecnología Super-Short Channel para protección de batería
Los MOSFET MXT MDWC12D028ERH de 12 V y MDWC24D031ERH de 24 V ayudan a reducir significativamente la RDS(on) y las pérdidas de conducción durante la operación. MagnaChip Semiconductor anuncia el lanzamiento de dos MOSFET (transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor) MXT de séptima generación basados en su tecnología Super–ShortChannel que están especialmente indicados en módulos […]
