Placa de evaluación de MOSFET para motores

Pensada para su uso con potencias de hasta 7,5 kW, esta placa de evaluación de MOSFET para motores presenta un diseño de baja inducción. Infineon Technologies quiere aprovechar la llegada de la tecnología del carburo de silicio (SiC, por sus siglas en inglés) para proporcionar a los profesionales una serie de herramientas, por lo que […]

MOSFETs SiC con encapsulado de 4 patillas

ROHM Semiconductor anuncia la disponibilidad de seis nuevos MOSFETs SiC con estructura de puerta vertical (650/1200 V), la serie SCT3xxx xR-Serie, ideal para fuentes de alimentación de servidores, sistemas SAI, inversores de energía solar y estaciones de carga de vehículos eléctricos que requieren alta eficiencia. La serie SCT3xxx xR utiliza un encapsulado de 4 pines […]

MOSFET de 60 y 100 V para aplicaciones de elevada corriente

Disponibles en encapsulados TOLL, los nuevos MOSFET de 60 y 100 V para aplicaciones de elevada corriente resultan ideales en motores BLDC y aplicaciones de gestión de batería. Alpha and Omega Semiconductor introduce el encapsulado TO-Leadless (TOLL) en combinación con tecnología SGT de 60 y 100 W para ofrecer “la máxima capacidad de corriente en […]

MOSFET ultra compactos para automoción

Los nuevos MOSFET ultra compactos para automoción RV4xxx de ROHM proporcionan una fiabilidad de montaje que permite una mayor miniaturización en dispositivos tales como los módulos de cámara ADAS. ROHM Semiconductor anuncia el desarrollo de MOSFETs ultra compactos de tamaño 1,6×1,6 mm que ofrecen una fiabilidad de montaje excelente. La serie RV4xxx tiene la calificación […]

Módulo de alimentación híbrido con topología ANPC

Nuevo módulo de alimentación híbrido con topología ANPC enencapsulado EasyPACK 2B que resulta ideal en la próxima generación de aplicaciones fotovoltaicas y de almacenamiento de energía de 1500 V. En comparación con las topologías neutral-point-clamped de tres niveles, el diseño de inversor avanzado neutral-point-clamped (ANPC) soporta, incluso, una distribución de pérdida entre los dispositivos semiconductores. […]

MOSFET Super Junction de 600 y 700 V

Nuevos MOSFET Super Junction de 600 y 700 V en tecnologías de 300 mm que cumplen los requisitos de eficiencia y densidad de múltiples aplicaciones. Alpha and Omega Semiconductor (AOS) anuncia el lanzamiento de las familias αMOS5 Super Junction MOSFET de 600 y 700 V en tecnologías de 300 mm. αMOS5 es la última generación […]

MOSFET GaN vertical de 100 A

El nuevo MOSFET GaN vertical con corriente operativa de 100 A es un dispositivo de alimentación ideal en conversión de potencia en electrodomésticos, movilidad, industria y otros muchos campos. Toyoda Gosei desarrolla un dispositivo semiconductor de alimentación MOSFET GaN vertical con una corriente operativa de 100 A en un solo chip, uno de los niveles […]

MOSFET SiC de 1700 V para convertidores CA/CC

ROHM anuncia la disponibilidad de MOSFET SiC de 1700 V para convertidores CA/CC, pertenecientes a la serie BM2SCQ12xT-LBZ. Esta serie se optimizó para aplicaciones industriales, que incluyen luminarias públicas, sistemas de aire acondicionado comerciales y servos e inversores de CA de uso general utilizados en dispositivos de alta potencia. Los semiconductores de potencia de SiC […]

MOSFETs Super Junction de 600 V

Mouser Electronics, una filial de TTI, y distribuidor global de semiconductores y componentes electrónicos, anuncia una nueva gama de MOSFETs Super Junction de 600 V, de la serie PrestoMOS, que incluye 30 nuevos modelos. Esta serie, fabricada por ROHM Semiconductor, aumenta la flexibilidad de diseño al mismo tiempo que mantiene el tiempo de recuperación inversa […]