FET SiC de 6 mΩ para aplicaciones emergentes

Los nueve nuevos modelos de FET SiC anunciados proporcionan mejoras en la flexibilidad del diseño. UnitedSiC, fabricante de semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC), responde a la demanda de FET SiC con mejoras en rendimiento y eficiencia por parte de los diseñadores con el anuncio de un dispositivo de 750 V y 6 […]

MOSFET SiC de 1700 V sin encapsular

El catálogo de carburo de silicio con MOSFET SiC de 1700 V sin encapsular, discretos y módulos de potencia ofrece más opciones a los diseñadores para ampliar la eficiencia y la densidad de potencia. Los sistemas de carga eléctrica que alimentan en la actualidad los vehículos comerciales, así como sistemas de alimentación auxiliar, inversores solares, […]

MOSFET homologados resistentes a la radiación M6 MRH25N12U3

Microchip Technology anuncia la homologación de su MOSFET (Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor) resistente a la radiación M6 MRH25N12U3 de 250 V y 0,21 Ωde Rds(on) para aplicaciones aeroespaciales comerciales y espaciales de defensa. Así, proporciona el elemento de conmutación primaria en circuitos de conversión de potencia como convertidores en el punto de carga, convertidores CC/CC, accionamientos […]

MOSFET de alta densidad de 40 V en LFPAK88

Estos encapsulados LFPAK88 proporcionan un diseño robusto y fiable con características SOA y Avalancha, perfecto para industria y automoción. Nexperia anuncia nuevos MOSFET de potencia de 40 V con un RDS(on) de 0,55 mΩ en encapsulado LFPAK88 de alta fiabilidad para aplicaciones de automoción (BUK7S0R5-40H) y entornos industriales (PSMNR55-40SSH). Estos dispositivos se convierten en los […]

CoolMOS S7 MOSFET de 600 V para conmutación estática

Nuevos MOSFET de 600 V para conmutación estática CoolMOS S7 ideales en entornos industriales y automoción. En aquellas aplicaciones donde los MOSFET se conmutan a baja frecuencia, el diseño de los productos de alta potencia debe cumplir unos determinados requisitos. Tienen que minimizar las pérdidas de conducción, optimizar el comportamiento térmico y posibilitar sistemas más […]

MOSFET P-Channel de -80 V Siliconix SQJA81EP

Disponible en un encapsulado compacto, el MOSFET P-Channel de -80 V Siliconix SQJA81EP cuenta con certificación AEC-Q101 para su uso en la industria automotriz. Mouser Electronics, el distribuidor de Introducción de Nuevos Productos con la más amplia selección de semiconductores y componentes electrónicos, informa que el grupo especializado en optoelectrónica de Vishay Intertechnology, fabricante de […]

MOSFET αSiC de 1200 para vehículos eléctricos

Con la nueva calificación AEC-Q101, el nuevo MOSFET αSiC de 1200 para vehículos eléctricos AOM033V120X2Q satisface las necesidades de eficiencia y fiabilidad. Alpha and Omega Semiconductor, diseñador y fabricante de semiconductores, circuitos integrados y productos de potencia digitales, anuncia el lanzamiento de nuevos MOSFET αSiC de carburo de silicio (SiC) de 1200 V con la […]

MOSFET LFPAK56D de reducido tamaño en la PCB

Utilizando un 30% del área de la placa respecto a un dispositivo tradicional de este tipo, el MOSFET LFPAK56D ofrece una inductancia parasitaria un 60% inferior. Nexperia, especialista holandesa en semiconductores para productos electrónicos, anuncia la expansión de su línea de MOSFETs con calificación AEC-Q101 para su uso por parte de la industria automotriz, con […]

Transistores de unión bipolar, un rival para los MOSFET

Los interruptores digitales se suelen crear usando MOSFET, pero los transistores de unión bipolar se han convertido en una alternativa a tener muy en cuenta cuando se trata de modelos con tensiones de saturación bajas. Según Thomas Bolz, director de productos estándar de Rutronik, para aquellas aplicaciones con tensiones y corrientes bajas no sólo ofrecen […]