SJ MOSFET de 600 V para productos de consumo y entornos...

Los nuevos SJ MOSFET de 600 V contribuyen a disminuir la pérdida de conmutación e incrementar la eficiencia. MagnaChip Semiconductor anuncia el lanzamiento de once transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor Super Junction (SJ MOSFET) de 600 V, cuya producción masiva comenzará el próximo mes de marzo. Estos SJ MOSFET 2.5G han sido desarrollados usando […]

LV MOSFET para módulos de circuito de protección de batería en...

Estos LV MOSFET se distinguen por una Rss(on) muy baja para respaldar procesos de recarga rápida. Ante el aumento de la demanda de teléfonos móviles LTE y 5G de gama alta, las funciones de protección y la extensión de la vida de la batería resultan cada vez más importantes. En particular, los teléfonos 5G necesitan […]

OptiMOS SD MOSFET de potencia en versiones de 25 a 100...

Disponibles en un encapsulado PQFN de 3,3 x 3,3 mm, los MOSFET de potencia OptiMOS SD con tecnología Source-Down satisfacen las necesidades de los nuevos sistemas de alimentación. Infineon Technologies lanza una nueva generación de MOSFET de potencia OptiMOS Source-Down (SD) en un encapsulado PQFN de 3,3 x 3,3 mm y versiones con una tensión […]

BM2P06xMF-Z Nuevos circuitos integrados Fly-back compactos

Circuitos integrados Fly-back que maximizan el rendimiento, reducen el coste del sistema y aumentan la fiabilidad de las soluciones de alimentación eléctrica industrial y de consumo. El fabricante ROHM Semiconductor anuncia nuevos circuitos Fly-back CA/CC con un MOSFET de ruptura de 730 V integrado, las series BM2P06xMF-Z (BM2P060MF-Z, BM2P061MF-Z y BM2P063MF-Z). Estos componentes son ideales […]

G2R1000MT33J MOSFET SiC de 3300 V

Los MOSFET SiC G2R1000MT33J garantizan la robustez y la fiabilidad de sistema en muy diversas aplicaciones. GeneSiC Semiconductor anuncia nuevos MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 3300 V que ofrecen una conmutación rápida y eficiente con ringing reducido en un encapsulado optimizado (TO-263-7) con un pin de fuente de controlador separado. Estos MOSFET SiC […]

MOSFETs de potencia AONR66820 y AONS66811

Con un rendimiento mejorado respecto a la generación precedente, los MOSFETs de potencia AONR66820 y AONS66811 también presentan una huella de menor tamaño. Alpha and Omega Semiconductor, compañía especializada en el diseño, desarrollo y distribución de semiconductores, lanza al mercado los AONR66820 y AONS66811, dos nuevos MOSFETs de potencia que disponen de tecnología Shield Gate. […]

MOSFET TOLL de alta corriente para vehículos eléctricos

En encapsulado TOLL, los MOSFET DMTH8001STLWQ de 80 V y DMTH10H1M7STLWQ y DMTH10H2M5STLWQ de 100 V ofrecen mayor eficiencia térmica en menos espacio. Diodes introduce una familia de MOSFET de automoción en el encapsulado TOLL (PowerDI1012-8) que ahorra espacio y aporta eficiencia térmica. Con capacidad de operar a 175 °C, los modelos DMTH8001STLWQ de 80 […]

Dispositivo BCD-on-SOI de alta tensión XT018

Pensado para su uso en aplicaciones de la IoT, el dispositivo primitivo de alta tensión XT018 soporta un voltaje operativo de hasta 375 V. X-FAB, compañía belga especializada en la fundición dedicada a los productos MEMS de señal analógica y mixta, presenta el XT018, el primer dispositivo primitivo de alta tensión de tecnología BCD-on-SOI fabricado […]

Módulos T: relés mecánicos y MOSFET

Omron Electronic Components Europe anuncia nuevas versiones para tensión y corriente elevadas de sus innovadores módulos T de relés MOSFET. Para esto, ofrecen la excepcional fiabilidad y durabilidad de los relés de estado sólido y una corriente de fuga excepcionalmente baja de solo 1 pA o menos, lo cual permite su uso en aplicaciones de […]