MOSFET MXT con tecnología Super-Short Channel para protección de batería
Los MOSFET MXT MDWC12D028ERH de 12 V y MDWC24D031ERH de 24 V ayudan a reducir significativamente la RDS(on) y las pérdidas de conducción durante la operación. MagnaChip Semiconductor anuncia el lanzamiento de dos MOSFET (transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor) MXT de séptima generación basados en su tecnología Super–ShortChannel que están especialmente indicados en módulos […]
XPQR3004PB y XPQ1R004PB MOSFET N-channel de 40 V para automoción
Con un encapsulado L-TOGL, los MOSFET XPQR3004PB y XPQ1R004PB soportan mayores corrientes en equipos a bordo del automóvil. Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba) anuncia el lanzamiento de dos nuevos MOSFET de alimentación N-channel de 40 V para automoción. Los modelos XPQR3004PB y XPQ1R004PB se presentan en un encapsulado L-TOGL (Large Transistor Outline Gull-wing […]
MOSFETs de doble simetría SiZF5300DT y SiZF5302DT
Con una eficiencia del 98%, los nuevos MOSFETs de doble simetría Siliconix SiZF5300DT y SiZF5302DT pueden sustituir a dos MOSFETs independientes, ahorrando en espacio y facilitando la miniaturización de los sistemas. Vishay Intertechnology, fabricante de componentes electrónicos que van desde semiconductores discretos hasta componentes pasivos, presenta sus nuevos MOSFETs de doble simetría Siliconix SiZF5300DT y […]
MDT15N054PTRH MOSFET MXT de 150 V para vehículos eléctricos ligeros
El MOSFET MXT MDT15N054PTRH de octava generación en encapsulado TOLL también está indicado en sistemas de gestión de batería (BMS) y fuentes de alimentación de electrónica de consumo. MagnaChip Semiconductor anuncia el lanzamiento de un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) MXT de 150 V de octava generación, optimizado para controladores de vehículos eléctricos […]
OptiMOS MOSFET SD en encapsulado PQFN de 3,3 x 3,3 mm²
Con un rango de tensión de 25 a 150 V, las versiones OptiMOS BSC y BSD en encapsulado PQFN contribuyen a reducir las pérdidas de potencia y optimizar la gestión térmica. El diseño de sistemas de electrónica de potencia del futuro intenta aumentar el rendimiento y la densidad. Con la misión de respaldar esta tendencia, […]
AONS30300 MOSFET de 30 V para servidores reemplazables sin parar la...
El MOSFET AONS30300 de baja resistencia está optimizado para aplicaciones de 12 V en la infraestructura del centro de datos. Alpha and Omega Semiconductor, diseñador, desarrollador y fabricante de semiconductores de potencia, circuitos integrados (CI) y productos digitales, anuncia el lanzamiento del modelo AONS30300, un MOSFET de 30 V con baja resistencia (on–resistance). El AONS30300, […]
SiHK045N60EF MOSFET n-channel de 600 V en encapsulado PowerPAK 10 x...
El MOSFET de 600 V SiHK045N60EF se caracteriza por alta densidad, elevada eficiencia y bajas pérdidas de conducción y conmutación. Vishay Intertechnology introduce un nuevo MOSFET de diodo fast body de la Serie EF de 600 V de cuarta generación en el encapsulado PowerPAK 10 x 12 de bajo perfil. Ofreciendo eficiencia y densidad de […]
MOSFET MV de 200 V de tercera generación
Los nuevos MOSFET MV de 200 V cumplen los requisitos de controladores de motor de vehículos eléctricos ligeros (LEV) y fuentes de alimentación industriales. Magnachip Semiconductor anuncia la introducción de sus transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de media tensión (MV) de 200 V de tercera generación para controladores de motor de vehículos eléctricos […]
MOSFETs PMCB60XN y PMCB60XNE
Con un voltaje soportado de 30 V, a los MOSFETs PMCB60XN y PMCB60XNE debe añadírseles el PMCA14UN de 12 V. Nexperia, firma neerlandesa especializada en la producción de semiconductores esenciales para el diseño de aparatos electrónicos electrónicos, presenta sus nuevos MOSFETs PMCB60XN y PMCB60XNE de 30 V. Podemos encontrar más información del primer modelo aquí, […]
